Diseño de circuitos integrados ASIC

Bullet Descripción

Diseño de circuitos integrados ASIC

En el grupo CommIC (Communication Integrated Circuits) desarrollamos circuitos y sistemas integrados de RF, analógicos, digitales y mixed-signal para aplicaciones de comunicaciones inalámbricas de hasta 86 GHz. La estrecha colaboración con el grupo de antenas nos permite customizar soluciones low-cost completas, con un factor de forma mínimo, para aplicaciones médicas de última generación, aplicaciones de comunicaciones e imagen a alta velocidad, a la identificación remota y monitorización de procesos.

Desarrollamos soluciones, desde el diseño del circuito integrado (IC), la producción de prototipos, la fabricación de pequeños lotes o la producción en masa de los diseños. También ofrecemos nuestra experiencia en la realización de estudios de viabilidad, consultoría tecnológica y soporte en el estadio inicial de la producción. Nuestros servicios cubren un amplio rango de aplicaciones, tales como:

  • Transceivers integrados (completes) para comunicaciones inalámbricas (front-ends analógico y RF, circuitos mixed signal y back-end digital).

  • Procesadores digitales de banda base.

  • High data rate wireless communication links for backhaul applications.

  • Diseño y caracterización (on-wafer y sobre PCB) de circuitos integrados customizados (ASIC) de radiofrecuencia (RF) y analógicos.

  • Intellectual Property (IP) digital cores.

  • Soluciones completas para sistemas de identificación (RFID) activas y pasivas.

  • Sistemas de localización en tiempo real (RTLS).

  • Sensores integrados sin baterías y redes de sensors (WSN).

  • Circuitos integrados de ultra bajo consumo para gestión de la energía y micro-power harvesting.

  • Modelización y caracterización de componentes pasivos para RF (inductores, varactores, dispositivos ESD, etc.).

Diseño de circuitos integrados ASIC

Basamos nuestros diseños en tecnologías basadas en silicio de última generación, tales como CMOS, BiCMOS y SiGe. Tenemos experiencia en la implementación de las siguientes tecnologías:

  • 0.8um BiCMOS (AMS).

  • 0.35um BiCMOS SOI (HITACHI).

  • 0.35um SiGe (AMS).

  • 0.35um CMOS (XFAB).

  • 0.18um CMOS (SEIKO-EPSON).

  • 65nm, 90nm & 0.18um CMOS (UMC).

  • 65nm, 90nm & 0.13um CMOS (TSMC).

  • 55nm BiCMOS (ST).