Description

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En el grupo CommIC (Communication Integrated Circuits) desarrollamos circuitos y sistemas integrados de RF, analógicos, digitales y mixed-signal para aplicaciones de comunicaciones inalámbricas de hasta 86 GHz. La estrecha colaboración con el grupo de antenas nos permite customizar soluciones low-cost completas, con un factor de forma mínimo, para aplicaciones médicas de última generación, aplicaciones de comunicaciones e imagen a alta velocidad, a la identificación remota y monitorización de procesos.

Desarrollamos soluciones, desde el diseño del circuito integrado (IC), la producción de prototipos, la fabricación de pequeños lotes o la producción en masa de los diseños. También ofrecemos nuestra experiencia en la realización de estudios de viabilidad, consultoría tecnológica y soporte en el estadio inicial de la producción. Nuestros servicios cubren un amplio rango de aplicaciones, tales como:

  • Transceivers integrados (completes) para comunicaciones inalámbricas (front-ends analógico y RF, circuitos mixed signal y back-end digital).
  • Procesadores digitales de banda base.
  • High data rate wireless communication links for backhaul applications.
  • Diseño y caracterización (on-wafer y sobre PCB) de circuitos integrados customizados (ASIC) de radiofrecuencia (RF) y analógicos.
  • Intellectual Property (IP) digital cores.
  • Soluciones completas para sistemas de identificación (RFID) activas y pasivas.
  • Sistemas de localización en tiempo real (RTLS).
  • Sensores integrados sin baterías y redes de sensors (WSN).
  • Circuitos integrados de ultra bajo consumo para gestión de la energía y micro-power harvesting.
  • Modelización y caracterización de componentes pasivos para RF (inductores, varactores, dispositivos ESD, etc.).
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Basamos nuestros diseños en tecnologías basadas en silicio de última generación, tales como CMOS, BiCMOS y SiGe. Tenemos experiencia en la implementación de las siguientes tecnologías:

  • 0.8um BiCMOS (AMS).
  • 0.35um BiCMOS SOI (HITACHI).
  • 0.35um SiGe (AMS).
  • 0.35um CMOS (XFAB).
  • 0.18um CMOS (SEIKO-EPSON).
  • 65nm, 90nm & 0.18um CMOS (UMC).
  • 65nm, 90nm & 0.13um CMOS (TSMC).
  • 55nm BiCMOS (ST).